Transphorm推出三款採用TOLL封裝的SuperGaN氮化鎵場效應管（FET），導通電阻分別為35、50和72毫歐姆。Transphorm的TOLL封裝配置符合業界標準，意即SuperGaN TOLL FET可直接替代任何E模式TOLL解決方案。新元件還具備Transphorm經驗證的高壓動態（開關）導通電阻可靠性。

這三款表面黏著元件（SMD）可支援在1至3千瓦的平均範圍內運行的更高功率應用。這些電源系統通常用於高性能領域，如計算（人工智慧（AI）、伺服器、電信、資料中心）、能源和工業 （太陽光變頻器、伺服馬達），以及其他廣泛的工業市場，這些市場目前的全球GaN TAM總額為25億美元。值得注意的是，AI系統依賴GPU，其功率高於傳統CPU的10到15倍，因此FET成為目前最佳化解決方案。

Transphorm的高功率GaN元件為生產中的高性能系統供電，包括資料中心電源、高功率遊戲PSU、UPS和微型逆變器。TOLL元件還可以支援多種應用，如電動車的DC-DC轉換器和車載充電器，底層SuperGaN晶片已通過汽車（AEC-Q101）認證。

SuperGaN TOLL FET是Transphorm提供的第六種封裝類型，可提供多樣的封裝因應不同設計需求。TOLL元件利用常關D模式SuperGaN平台的固有性能和可靠性創造優勢。此外，650 V SuperGaN TOLL元件通過JEDEC認證。由於常關D模式平台將GaN HEMT與低電壓矽MOSFET配對，SuperGaN FET使用常用的柵極驅動器，容易驅動。它們可用於各式硬性和柔性切換的AC轉DC、DC轉DC，以及DC轉AC創新拓撲，以提高功率密度，同時減小系統尺寸、重量和整體成本。SuperGaN TOLL元件目前可提供樣品。