安森美（onsemi）， 在PCIM Europe展會發佈全球首款To-Leadless（TOLL）封裝的碳化矽（SiC）MOSFET。該電晶體滿足了對適合高功率密度設計的高性能開關元件迅速增長的需求。直到最近，SiC元件一直採用明顯需要更大空間的D2PAK 7接腳封裝。

安森美全球首款TOLL封裝MOSFET NTBL045N065SC1

TOLL封裝的尺寸僅為9.90 mm x 11.68 mm，比D2PAK封裝的PCB面積節省30%。而且，它的外形只有2.30mm，比D2PAK封裝的體積小60%。除了更小尺寸之外，TOLL封裝還提供比D2PAK 7接腳更好的熱性能和更低的封裝電感（2 nH）。

其開爾文源極（Kelvin source）配置可確保更低的閘極噪聲和開關損耗－包括與沒有Kelvin配置的元件相比，導通損耗（EON）減少60%，確保在具有挑戰性的電源設計中能顯著提高能效和功率密度，以及改善電磁干擾（EMI），和更容易進行PCB設計。

安森美先進電源分部高級副總裁兼總經理Asif Jakwani表示：「能在小空間內提供高度可靠的電源設計正成為許多領域的競爭優勢，包括工業、高性能電源和伺服器應用。將我們同類最佳的SiC MOSFET封裝在TOLL封裝中，不僅減小空間，還增強許多性能，如EMI和降低損耗等，為市場提供高度可靠和堅固的高性能開關元件，將幫助電源設計人員解決對其嚴格的電源設計挑戰。」

SiC元件比矽前輩具有明顯的優勢，包括增強高頻率能效、更低EMI、更高溫度工作和更可靠。 安森美是唯一具有垂直整合能力的SiC方案供應商，包括SiC晶球生長、基板、磊晶、晶圓製造、同類最佳的整合模組和分立封裝解決方案。

NTBL045N065SC1是首款採用TOLL封裝的SiC MOSFET，適用於要求嚴苛的應用，包括開關電源（SMPS）、伺服器和電信電源、太陽能逆變器、不間斷電源供應系統（UPS）和儲能。 該元件適用於需要滿足最具挑戰性的能效標準的設計，包括ErP和80 PLUS Titanium能效標準。

NTBL045N065SC1 的VDSS額定值為650 V，典型RDS（on）僅為33 mΩ，最大電耗（ID）為73 A。基於寬能隙（WBG）SiC技術，該元件的最高工作溫度為175°C和超低閘極電荷（QG（tot）= 105 nC），能顯著降低開關損耗。此外，該TOLL封裝是保證濕度敏感度等級1（MSL1），以確保減少批量生產中的故障率。

此外，安森美還提供車規級元件，包括TO-247 3接腳、4接腳和D2PAK 7接腳封裝。