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應用材料推出Ultima X HDP-CVD設備
將支援0.10微米以下世代之元件製造

【CTIMES/SmartAuto 黃明珠報導】   2001年06月07日 星期四

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應用材料公司Ultima高密度電漿化學氣相沉積(HDP-CVD:High Density Plasma - Chemical Vapor Deposition)家族再添新成員。新推出的Ultima X設備將提供下一世代元件所須的隙縫填補能力,包括先進的淺溝隔離(STI:Shallow Trench Isolation)、金屬層間介質沉積(IMD: Inter-Metal Dielectric)和前金屬介質沉積(PMD: Pre-Metal Dielectric)等製程應用。Ultima X同時為第一套支援0.10微米以下的電路結構,將為未來製造邏輯元件、快閃記憶體和DRAM元件的最佳解決方案。

應用材料副總裁暨介電系統與模組產品事業群總經理法哈‧莫葛丹表示:「Ultima X的推出,對於我們領先市場的Ultima HDP-CVD設備而言是一大躍進,其將可滿足0.10微米製程技術的要求,讓客戶迅速發展出下一世代的高效能元件。此外,Ultima X可擴大高濃度電漿化學氣相沉積技術的應用範圍,支援數個世代的元件,不僅可滿足客戶最嚴格的技術要求,同時還可降低客戶的風險與投資。」

應用材料公司表示,Ultima X具有多項先進的技術能力,將可在200mm及300mm晶圓上提供均勻且無氣泡的沉積能力。Ultima X設備之核心為一個採用先進填補技術的反應室,提供突破性的「中心至邊緣」填補能力,能在整顆晶圓表面上做出不含任何隙洞的沉積,這項獨特能力,讓Ultima X得以延伸高濃度電漿化學氣相沉積技術的填補能力,含括縱橫比(Aspect Radio)超過7:1的70nm晶圓,並能改進晶圓邊緣的填補效果,讓客戶充份利用晶圓面積,提高晶圓的製造良率。Ultima X設備同時具備三項重要的特色,分別是加強型「FOCUS」電漿源設計、更高的電漿源射頻功率,以及更大的泵浦,可提供更好的填補結果,滿足0.10微米以下製程技術的要求。此外,先進的溫度控制功能,也可將薄膜缺陷與微粒數目減到最少,進而提升晶圓的製造良率。

關鍵字: 應用材料  半導體製造與測試 
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