意法半導體的新HB系列絕緣閘極雙極性電晶體（IGBT，Insulated-Gate Bipolar Transistors）擁有比競爭對手的高頻產品低40%的關機能源（turn-off energy），同時可降低達30%導通損耗。

HB系列利用意法半導體的溝槽型絕緣閘極雙極性電晶體製程，集極關斷無曳尾（collector-current turn-off tail-less）電流極低，飽和電壓（Vce（sat））為1.6V （典型值），從而最大幅度降低了開關和導通時的能耗。此外，這項技術具有良好的可控性，參數分佈窗口十分緊密，從而可提高設計再用性，簡化系統設計。

意法半導體的HB系列IGBT可提升目標應用的能效，例如太陽能逆變器、電磁爐、電焊機（welders）、不斷電系統（uninterruptible power supplies）、功率因數校正器（power-factor correction）和高頻功率轉換器。650V的寬額定工作電壓確保環境溫度在-40°C時崩潰電壓（breakdown voltage）至少600V，使其特別適用於寒冷地區的太陽能逆變器。 175°C的最大工作結溫和寬安全工作區（SOA，Safe Operating Area）提高了產品的可靠性，讓目標應用使用更小的散熱器。

可選參數包括30A到80A（在100°C時）的最大額定電流、多種主流的功率封裝和為諧振（resonant）或硬式開關電路（hard-switching circuits）最佳化的內建二極體的封裝。