瑞薩電子（RENESAS）日前宣佈推出新款SiGe:C異質接面電晶體NESG7030M04，可做為低雜訊放大電晶體用於無線區域網路系統、衛星無線電及類似應用。本裝置的製程採用全新開發的矽鍺：碳（SiGe:C）材料並達到低雜訊效能。

瑞薩推出新款SiGe:C異質接面電晶體，可做為低雜訊放大電晶體用於無線區域網路系統及類似應用。

新款SiGe:C HBT電晶體可將無線接收到的微弱微波訊號放大，以達到0.75 dB的雜訊值。由於能夠以如此低的雜訊放大訊號強度，因此可提高終端產品的通訊接收靈敏度。由於它可減少訊號傳輸錯誤，因此其運作耗電量可降低至具同等效能之瑞薩現有產品的四分之一。

瑞薩銷售適用於微波放大器應用的電晶體及IC，為無線區域網路、消費性家用無線電話、地面數位電視廣播調整器以及包含GPS功能的設備等提供解決方案。在上述背景之中，瑞薩已開發出採用SiGe:C材料的製程技術，並且為衛星廣播所使用的12 GHz以上的頻率提供解決方案。

另外，由於此電晶體是為了微波應用而開發的，因此瑞薩提供業界標準的4-pin薄型迷你模型封裝（瑞薩封裝名稱：M04封裝）。瑞薩亦計畫將此新製程部署至微波IC的開發，並進一步提供此領域的解決方案，以回應市場需求。