第三代半导体是指相对於第一代和第二代而言的新一代半导体技术。第一代半导体泛指的是以矽为主要材料的半导体晶片，第二代半导体则是以三五族化合物为主要材料，包括砷化??（GaAs）、磷化??（InP）等。第三代半导体则以碳化矽（SiC）和氮化??（GaN）为代表，其主要特色包括材料的变革、能源效率的提升、高频率操作、高温操作、高功率密度、高电流密度等。

图一 : 第三代半导体具有更高的电子迁移率、更好的热导性、较宽的能隙等特性，使得它们在特定应用中有着显着的优势。（source：Intel）

第三代半导体特性

第三代半导体的代表性材料包括碳化矽（SiC）和氮化??（GaN）。这些材料相较於传统的矽材料，具有更高的电子迁移率、更好的热导性、较宽的能隙等特性，使得它们在特定应用中有着显着的优势。以下是第三代半导体的主要应用领域：
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