账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES / 文章 /
FRAM内存技术原理
 

【作者: 徐夢嵐】2001年10月05日 星期五

浏览人次:【10652】

美国Ramtron公司内存(FRAM)的核心技术是铁晶体管材料。这一特殊材料使得内存产品同时拥有随机存取内存(RAM) 和非挥发性贮存产品的特性。


内存材料的工作原理是:当我们把电极加到铁晶体管材料上,晶体中的中心原子会沿着电场方向运动,到达稳定状态。晶体中的每个自由浮动的中心原子只有两个稳定状态。一个我们拿来记忆逻辑中的0,另一个记忆1。中心原子能在常温,没有电场的情形下停留在此状态达一百年以上。内存不需要定时刷新,能在断电情况下保存数据。(图一)


由于在整个物理过程中没有任何原子碰撞,FRAM拥有高速读写,超低功耗和无限次写入等超级特性。
...
...

另一名雇主 限られたニュース 文章閱讀限制 出版品優惠
一般訪客 10/ごとに 30 日間 5//ごとに 30 日間 付费下载
VIP会员 无限制 20/ごとに 30 日間 付费下载
相关文章
AI高龄照护技术前瞻 以科技力解决社会难题
3D IC 设计入门:探寻半导体先进封装的未来
SiC MOSFET:意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术
超越MEMS迎接真正挑战 意法半导体的边缘AI永续发展策略
CAD/CAM软体无缝加值协作
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关新闻
» 豪威集团推出用於存在检测、人脸辨识和常开功能的超小尺寸感测器
» ST推广智慧感测器与碳化矽发展 强化於AI与能源应用价值
» ST:AI两大挑战在於耗能及部署便利性 两者直接影响AI普及速度
» 慧荣获ISO 26262 ASIL B Ready与ASPICE CL2认证 提供车用级安全储存方案
» 默克完成收购Unity-SC 强化光电产品组合以满足半导体产业需求


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BN6HEKASSTACUK4
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw