根據美國半導體產業協會的資料顯示，每隔三年半導體IC的生產技術便要往前推一個世代，在Roadmap中，0.18微米世代的半導體產品必須在1999年量產，而0.13微米的產品是在2002年量產。要達到SIA Roadmap所規定的生產技術是一項相當困難的技術整合，舉凡從元件設計、薄膜、微影、蝕刻到平坦化等技術都必須環環相扣緊密的連接在一起，才能勉強的達到進入量產的水準。而值得注意的是在上述的半導體模組技術中，微影技術本來並非一項瓶頸技術，尤其是在以前的微米或是次微米的半導體世代中，將光罩上的電路圖形經由曝光、顯影而轉移到晶片上，並非一項相當困難的技術。

微影技術與製程之關係

而以往微影技術並非是一個瓶頸技術的主要原因，應該是曝光機設備的發展速度遠超過半導體製程的需求。我們可以用兩個參數來代表這個微妙的關係，第一個參數是曝光機光源的波長λ，它可以代表曝光機的發展程度，通常越小波長的光源代表的是越尖端的曝光機；第二個參數是光罩上線路圖形的最小尺寸CD(Critical Dimension)，CD越小當然代表製程的要求越嚴格。在以往的半導體微米或次微米世代中，一直都是線路圖形的CD比曝光機光源的波長λ還要大，也就是說，晶圓廠可以使用符合製程規格要求的曝光機來生產，在此情形下微影製程事實上可能類似印刷廠的印刷工作，在製程中只需要注意缺陷或疊對的控制，還不可能會遇到圖案曝不出來的窘態。
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