現今很多刊物都有大量關於矽（silicon）與砷化鎵（GaAs）兩者比較的討論。雖然為了增加可讀性，這種比較會被繪聲繪色，但事實是在無線市場中仍然有很多其他半導體技術選擇。砷化鎵是製造手機語音訊號鏈路中的功率放大器（power amplifier；PA）最常用的技術，而砷化鎵的特性也的確非常適合於這種應用。然而，不論是在可攜式設備還是WLAN卡應用中，多媒體存取的發展趨勢不斷成長，這要求另一種訊號鏈路，能具有以下的特點：佔位面積小、功耗低和提供多模多頻帶性能。而能滿足上述所有要求的解決方案無疑就是矽半導體製程，比如矽鍺（SiGe）。本文將詳細探討矽鍺的特性，並特別針對多模無線存取應用將之與砷化鎵進行比較。

雖然無線元件正面對著減小佔位面積、增加功能性和降低功耗的挑戰，但說到底，真正決定終端產品成功與否的是客戶是否獲得良好的使用體驗。一直以來，矽是一種高整合度的低成本材料，自然成為了整個半導體產業的優先選擇。但隨著無線設備的工作頻率開始提高，傳統矽CMOS製程就顯得侷限，因此產業界需要更具創新性的解決方案。當時砷化鎵和鍺矽製程都正在開發當中，而由於砷化鎵首先展現出可以實現大輸出功率、高頻應用的能力，因此砷化鎵在手機PA中找到了位置。另一方面，矽鍺也進入了大宗生產階段，並證明了特別適用於例如行動設備等高功能性整合和低可變工作電壓的應用。

PA設計
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