过去半导体材料主要以第一代的矽（Si）晶圆的生产制造为主。然而，现今随着5G通信、新能源汽车等应用市场的强势崛起，现有以矽为基础（Si-based）的半导体器件，因材料的物理特性已达极限，无法再提升电量、降低热损、提升速度，因此需朝向其他更能发挥电子传输效率与低能耗的材料演进，而具备高能效、低能耗的第三代宽能隙（Wide Band Gap；WBG）半导体就在此背景之下因应而生。

相较于第一代半导体材料的矽（Si）与第二代半导体材料的砷化镓（GaAs），碳化矽（SiC）与氮化镓（GaN）等第三代宽能隙半导体材料拥有高电子迁移率、直接能隙与宽能带等特性，更适合5G基地台、电动车充电桩等应用领域。

碳化矽市场规模不断增长
...
...