3D制程正持续发展，作为堆叠晶片之间的一种电子互连技术，矽通孔（TSV）能为讯号提供比传统焊线更短的传输路径。此外，TSV还能实现更多的输入/输出（I/O）。 TSV的直径和纵横比可以实现更高的密度，因此这项技术能用比打线接合更低的功耗来实现性能提升。

对3D矽通孔来说，金属沉积制程有什么作用和重要性？ aveni执行长Bruno Morel表示，金属沉积是成功的TSV性能的关键制程之一。如同平面元件，金属沉积是晶片层内部的「接线」。在晶片堆叠中，金属沉积对形成晶片之间的互连来说非常关键。元件速度和讯号完整性与金属沉积的品质直接相关。
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