【德国慕尼黑讯】英飞凌科技（Infineon）推出革命性的 SiC (碳化矽) MOSFET 技术，让产品设计达到前所未有的功率密度和效能水平。英飞凌的 CoolSiC MOSFET在提升效率与频率上，提供更高的灵活度，协助功率转换配置的开发人员达到节省空间和重量、减少冷却需求、提升可靠性并缩减系统成本。

图一 : 英飞凌工业电源控制事业处总裁 Helmut Gassel 博士

英飞凌工业电源控制事业处总裁 Helmut Gassel 博士表示：「二十多年以来，英飞凌一直是开发 SiC 解决方案的先锋，以满足节能、精简体积、系统整合和提升可靠度的需求。我们的肖特基二极体与 J-FET 技术让设计人员得以超越传统矽的限制，达到更高的功率密度和效能，英飞凌的 SiC 元件已经被用於数以百万计的产品当中。此策略现更向前迈出一大步，将功率 MOSFET 整合，让 SiC 技术发挥更多优势，这是以前无法实现的事。」

SiC MOSFET 功能的影响力确实让人印象深刻。功率转换配置运作时所使用的切换频率，可达现今所使用之三倍或更高，其带来的好处能减少磁性元件和系统外壳制造材料中的铜与铝含量，有助於制造出更小及更轻的系统，以减少运输需求，也更容易安装。而功率转换应用的设计人员更能创造出节能的新解决方案，并在全新范畴中运用效能、效率和系统弹性。
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