(日本东京讯)东芝公司(Toshiba)宣布,该公司已根据使用小於当前主流技术功率的65奈米逻辑制程开发了快闪记忆体嵌入式制程,以及采用130奈米逻辑及类比电源制程开发了单层多晶矽非挥发性记忆体(NVM)制程。将最隹制程用於不同应用将使东芝能够扩大其在微控制器、无线通讯积体电路(IC)、马达控制驱动器和电源IC等领域的产品阵容。
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目前,物联网(IoT)市场在部分领域对低功耗有着强劲的需求,包括穿戴和医疗照护相关的设备。作为回应,东芝采用了美国超捷半导体(SST)的第三代SuperFlash电池技术,以及其自有的65奈米逻辑制程技术。该公司还拥有微调电路和制程,用於开发其超低功耗快闪记忆体嵌入式逻辑制程。采用这种制程的微控制器针对消费和工业应用推出,可将功耗降低至当前主流技术的约60%。
东芝计画於2016会计年度推出短距离无线技术蓝牙低功耗(BLE)产品的样品。该公司还计画将65奈米制程应用於其无线通讯IC产品系列,包括近距离无线通讯(NFC)控制器和非接触式卡。这些无线通讯IC产品系列可最隹化利用低功耗特徵。除了具备低功耗优势外,该制程技术还有助於缩短开发时间,因为开发过程中应用软体能够轻松写入和重新写入快闪记忆体。
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