2003年12月，半導體微影技術，正式進入另一個技術領域。在此之前，我還以為微影技術仍會照著ITRS（國際半導體技術藍圖）的原先藍圖進展，混然未察覺的是，在這個微寒的冬季，科技有又有重大的進展：「浸潤式微影技術」（Immersion Lithography）隆重登場。

微影技術的發展，一直以來都象徵著製程的進步、線寬能否再微縮化等等內容，在半導體產業裡具有重大的指標意義。針對65奈米以下光罩製作，浸潤式微影技術的出現，也代表著舊式製程已漸漸欲振乏力，需要新式技術來解決製作問題。（相較於業界現有的193奈米的曝光機，需搭配特殊光罩組件，才能支援 65奈米製程。）

然而浸潤式微影技術之所以受到產業界重大的關注，除了納入ITRS外，台積電力拱該微影技術，更使得該技術受到媒體大眾的注意。台積電為推動浸潤式微影技術，這二年多以來努力推廣該技術的可行性，主要是因為台積電的研發結果發現，將193奈米微影設備加入浸潤功能後，無需更換193奈米所需之光阻材料，解析度即可產出超過157微影設備的等效波長，達到132奈米設備等級的等效波長。

當然，2003年的12月，並不只有世界第一大晶圓代工廠在極力鼓吹浸潤式微影技術，顯影設備供應商也在同月裡有了跟進動作。日商Nikon與ASML等公司決定，將於2004年1月公佈浸潤式掃描器之方案；2006年以前，聯合推出浸入式微影工具。ASML已於日本半導體設備展SEMICON Japan中，宣佈最新研發之193奈米浸潤式顯影設備雛型機，已獲得一家客戶訂單，預計明年第三季交貨。Nikon則於2004年下半年，提供用於浸入式微影評估之Alpha機。

如此看來，未來的半導體圈，將是浸潤式微影技術的天下了！其實不然，在此同時，另一技術也悄悄抬頭－「奈米壓印式微影技術」（Nano-Imprint Lithography）。目前參與研發奈米壓印式微影工具的業者，包括EV Group、MII、Nanonex、Obducat等，其中的MII（Molecular Imprints）表示，奈米壓印式技術已被納入2003版的ITRS藍圖之32奈米，預計32奈米於2009年的時間表內推出。目前與MII合作的策略夥伴，包括Lam Research、KLA-Tencor、Motorola、DARPA等大廠，顯示該技術十分被看好。

反觀同月份裡，另一家晶圓代工廠聯電的最新進展，聯電宣佈使用無鉻膜相位移光罩（Cr-less PSM）微影技術，並表示已運用在90奈米製程中，未來將導入該光罩技術以及193nm光學掃描機，以促成65奈米製程研發。

2003年的12月，已成為半導體產業重大技術的轉戾點，不論是浸潤式或者奈米壓印式微影技術在未來將成為市場主流，在二者技術的帶動下，未來晶圓廠微影設備都將進行大更新，對產業而言，如此的大動作，將是新商機、新契機。至於技術已稍嫌落後的業者，也要加把勁，畢竟對外已打出口號，再不努力便會落於人後了。