令人無所適從的未來晶片

一講到未來晶片，許多想像鏡頭一一出現：上百兆電晶體的晶片、更高速快捷的速度、更多元化功能之晶片等等。未來，總是讓人充滿希望。我們將會有更便利的產品，更舒適的使用功能，這是二十一世紀初科技快速演進下，人類自然會產生的期待。然而，「期待」真的是期待？不是錯覺嗎？

在很習以為常的科技新聞裡，隨便撿個最新、最具代表性的科技技術發表新聞，來證明科技業者滿足了過去市場對今日的期望。2004年2月，IBM在國際固態電路會議（ISSCC）中表示，該公司之矽鍺（SiGe）晶片技術，在每秒位元和時脈頻率上，已證明矽打敗了磷化銦材料，同時IBM針對無線網路，發表60GHz矽鍺收發器計畫。同時間，Intel（英特爾）在英特爾科技論壇（IDF）發表Intel Wireless Flash Memory英特爾第9代快閃記憶體技術，其採用採用90奈米製程技術，該產品每個cell能儲存兩倍的資料量。

然而在此同時，Intel卻對業界大聲疾呼未來將有的危機：「未來晶片熱的像火箭口」。一樣是2004年的2月，英特爾技術長蓋爾辛格對媒體表示，未來十年內，裝有Pentium晶片之電腦，將需要相當於核子反應爐的電力；十年末期，晶片就會熱的像火箭的噴火口；十年後，晶片熱度將媲美恆星太陽的表面。
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