日前东芝与亿恒合并案破局后，东芝表明将退出标准型DRAM制造与销售，华邦现有八吋晶圆厂在DRAM制程技术上将可延续到何种程度，已成为市场瞩目焦点，市场上因此传出亿恒转向寻求与华邦的合作机会，对此华邦总经理章青驹表示，现在双方洽谈仍属非常初期的阶段，并不会马上产生结果，即使将来华邦与亿恒真的展开合作，模式也将限于「买产能」而非「买厂」。

由于技术母厂日本东芝决定退出标准型DRAM市场，华邦电子也于日前宣布策略转向特殊用途DRAM与闪存( Flash)市场，并停止与东芝共同研发0.11微米堆栈式(Stacked) DRAM制程技术，当初华邦决定退出标准型DRAM市场，主因在于技术母厂东芝决定与亿恒科技（Infineon）合组DRAM公司，华邦也因此于九月召回赴日本与东芝合作开发先进DRAM制程的员工，其中原本规划三年受训期的○．一一微米技术开发部份，因派驻员工仅受训一年余，华邦因此决定中止○．一一微米以下推迭式制程技术的开发，并表示未来在内存产品研发上的投资，将着重于特殊应用DRAM与闪存等产品。

华邦副总经理王其国表示，由于华邦要至二○○四年才完全退出标准型DRAM市场，因此在未来二年内仍会专注于开发具竞争力的DRAM制程技术，由于华邦已与东芝中止○．一一微米制程的开发，因此在先进制程的取得上，华邦将与亿恒洽谈○．一一微米制程技术移转的可能性，然因亿恒的○．一一微米制程仍在开发阶段，因此整个合作仍未有较具体结论。