茂德科技首批以90奈米堆栈式（stacked）制程技术投产的512Mb DDR12吋晶圆，已于本月八日正式产出，平均良率均超过60％以上，显示中科12吋厂现有生产线已具量产能力。由于中科12吋厂建置速度较预期中快，因此茂德也决定，明年首季月产能将拉高至1万5000片，明年下半年就可达3万片规模。

茂德与Hynix去年初就开始洽谈合作事宜，延宕近一年时间后，今年初终于正式签订DRAM技转及代工合约，Hynix将移转90奈米堆栈式制程予茂德，茂德则以中科12吋厂为基地，为Hynix代工标准型DRAM产品。而茂德中科12吋厂经历不到十四个月时间，本月八日终于正式产出第一批具良率的90奈米12吋DRAM晶圆，这是继华亚科技采用90奈米投产DRAM以来，国内第二家跨入奈米制程并顺利投产DRAM的业者。