英特尔（Intel）将在ISSCC 2008上发表采用high-k绝缘膜和金属栅极，以45奈米CMOS制程制作的SRAM芯片。电源电压为1.1V时，工作频率为3.5GHz。主要用于新一代Core 2微处理器的二次缓存。

为提高低压工作时SRAM单元的稳定性，英特尔对单元的PMOS晶体管进行了动态体偏压（body bias）控制。除此之外，还配备有可程控LSI工作时的漏电电流的电路。

过去对于65奈米的LSI制程，逻辑LSI厂商的晶体管栅极绝缘膜一直采用SiON系材料等。但是制程微细化发展到45奈米之后，人们越来越担心在栅极绝缘膜厚度日趋减小的同时，漏电流也会猛增。通过采用high-k绝缘膜，可以减小漏电流，提高LSI的性能。