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工研院与台积电合作开发SOT-MRAM 降百倍功耗抢高速运算商机
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2024年01月17日 星期三

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面对现今人工智慧(AI)、5G构成的AIoT时代来临,包括自驾车、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应用须快速处理大量资料,要求更快、更稳、功耗更低的新世代记忆体成为各家大厂研发重点。工研院今(17)日也发表与台积电合作,携手开发出自旋轨道转矩磁性记忆体(Spin Orbit Torque MRAM;SOT-MRAM)领先国际。

工研院与台积电合作开发出自旋轨道转矩磁性记忆体SOT-MRAM,适用於记忆体内运算,且功耗仅为STT-MRAM的1%成果领先国际。
工研院与台积电合作开发出自旋轨道转矩磁性记忆体SOT-MRAM,适用於记忆体内运算,且功耗仅为STT-MRAM的1%成果领先国际。

其中透过工研院建立深厚的前瞻记忆体研发能量,与晶圆制造龙头台积电双方携手开发出自旋轨道转矩磁性记忆体(SOT-MRAM),即由阵列晶片搭配创新的运算架构,适用於记忆体内运算,且功耗仅为STT-MRAM的1%成果领先国际。

工研院电子与光电系统所所长张世杰指出,工研院和台积电继2023年在全球半导体领域顶尖之「超大型积体技术及电路国际会议」(Symposium on VLSI Technology and Circuits)共同发表论文之後,今年更合作开发出兼具低功耗、10奈秒(nanoseconds;ns)高速工作等优点的SOT-MRAM单元,展现次世代记忆体技术的研发能量,维持半导体产业地位。

同时结合了电路设计完成记忆体内运算技术,进一步提升运算效能,并跳脱了MRAM已往以记忆体为主的应用情境。双方还将研发成果在「国际电子元件会议」(International Electron Devices Meeting;IEDM)共同发表论文,未来可将此技术应用在高效能运算(High Performance Computing;HPC)、AI人工智慧及车用晶片等领域。

關鍵字: 記憶體  Yüksek performanslı bilgi işlem  工研院 
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