韩国唯一专营积体电路制造代工服务公司启方半导体(Key Foundry)今天宣布已成功开发出采用第二代0.13微米嵌入式快闪储存技术的汽车半导体产品，年内将全面投入量产。

五年多来，启方半导体借助第一代0.13微米嵌入式快闪储存技术，不断推进微控制器(MCU)、触控(Touch)和自动对焦(Auto Focus)等各种消费类应用产品的量产。最新开发出的第二代0.13微米嵌入式快闪储存技术适用於汽车零件，完全符合AEC-Q100可靠性1级标准。AEC-Q100是一项针对汽车应用的积体电路(IC)应力测试认证。

要获得1级认证，该IC产品必须在高达125摄氏度的极端温度下，正常运转10年以上，同时还要确保所有储存的数据完好无损。凭借其深厚的专业积累，以及取得专利的侧壁选择性电晶体单元(SSTC)结构所突显的强大特性，启方半导体将纠错码(ECC)内存添加到嵌入式快闪储存IP中，成功开发出一种嵌入式快闪储存技术，并通过了各项AEC-Q100 1级测试。这种设计提高了该快闪储存技术的可靠性，因此非常适合汽车应用。

启方半导体的一家韩国客户率先将这项新技术应用到收费应答器的MCU产品上。该公司的128Kbyte eFlash IP已嵌入这款通过产品级别测试的产品，今年启动全面量产。这是第一款采用启方半导体嵌入式快闪储存技术的汽车应用产品。据该公司预计，该产品的成功开发将有助於把这项技术的应用范围扩展到触控IC、无线充电IC和其他各种汽车产品。

与第一代相比，第二代技术在可靠性和成本竞争力上均有明显提升，预计将广泛应用於包括MCU、触控和自动对焦在内的各种消费类应用。此外，在与BCD技术（双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体技术）互相整合後，为各类电源产品带来了合适的解决方案，例如USB Type-C PD（USB C型电力传输）、马?驱动IC或无线充电IC等。第二代技术的应用范围有??进一步扩大到具有超低漏电流优势的低功耗物联网产品。

继0.13微米的第一代和第二代技术之後，启方半导体目前正在开发0.11微米嵌入式快闪储存技术。为了满足客户日益追求更高存储密度的需求，该公司打算大幅缩小快闪储存单元的尺寸，打造出存储密度高达4Mbits的快闪储存IP。

启方半导体首席执行长李泰锺博士(Tae Jong Lee)表示：「首款使用第二代0.13微米嵌入式快闪储存技术的产品已经开发完成，即将投入量产。我们将充分利用我们的技术积累来提供高度可靠且具有成本竞争力的代工服务，并继续提高汽车半导体在我们产品组合中的比例。」