目前频率振荡器多是以石英技术为主。而因应电子产品轻薄短小的需要，频率产品也多朝向小型化、薄型化发展，这使得振荡器还需兼顾可靠性、稳定性和高性能成为一大挑战。传统的石英或压电陶瓷材料，由于本身具易碎性，在厚度小于0.8mm时，其抗冲击与抗震动能力便大幅减弱。因此振荡器厂商在提供薄型化产品的同时，还得面对高成本及低良率的问题。

IDT硅晶频率控制事业群总经理Michael McCorquodale表示，IDT为这样的需求，开发了全硅晶CMOS振荡器，并以晶圆和封装形式供应。这些IC免除了在必须符合小型化构型设计要求的消费性电子、运算，和储存应用之内，采用石英共振器与振荡器的需要，并且可为所有通用序列线路接口，包括S-ATA、PCIe、USB 2.0，和USB 3.0提供链接效能。

Michael强调，目前IDT是唯一可以晶圆形式提供高频率精确度的石英晶体层级效能CMOS振荡器的厂商。对于重视构型要素的设计而言，采用IDT缆线接合（wire-bondable）的CMOS振荡器来取代石英晶体的作法，是一项重大的突破。此一结果让消费性电子应用能够采用具成本效益的CoB（Chip on Board）组装。

Michael也提到，目前石英振荡器缺点包括质量不一致、交货期长、抗震性差、频率精准度与温度不成线性关系等多项缺点。而这项以RF-CMOS技术为主的振荡器在推出之后，可直接取代包括石英振荡器、振荡器与谐振器整合芯片等产品。Michael说，CMOS振荡器可提供更高的带宽，带宽越高则可提供越大的共振频率，相较之下，石英振荡器的最高频率则受到限制。

目前也有厂商发表了MEMS振荡器，Michael认为，尽管MEMS振荡器也属于硅晶震荡器的一种，但其缺点在于噪声高且成本也贵，而IDT这种post-CMOS晶圆级制程技术，让客户能够在单一基板上直接采用IDT的晶粒（die）来制造组件，因此能够促成开发最小构型规格的产品，同时降低成本和加速上市时程。