英飞凌科技股份有限公司携氮化??（GaN）解决方案CoolGaN? 600 V增强型HEMT和 氮化??驱动IC EiceDRIVER?，精彩亮相2018年德国慕尼黑电子展。

英飞凌氮化?? (GaN) 解决方案进入量产

英飞凌展示了其产品优势：它们具备更高功率密度，可实现更加小巧、轻盈的设计，从而降低系统总成本和营运成本，减少资本支出。随着CoolGaN 600 V增强型HEMT和GaN EiceDRIVER栅极驱动IC的推出，英飞凌是目前市场上唯一一家提供涵盖矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化??（GaN）等材料的全系列功率产品供应商。

CoolGaN 600 V增强型HEMT：

新款 CoolGaN 600 V 增强型 HEMT 采用可靠的常闭概念，已优化实现快速开通和关断。它们可在开关式电源（SMPS）中实现高能源效率和高功率密度，其优值系数（FOM）在目前市面上所有 600 V 元件中首屈一指。CoolGaN 开关具极低的栅极电荷及反向导通状态下的优异动态性能，进而大幅提高工作频率，从而透过缩小被动元件的总体尺寸，提高功率密度。 英飞凌 CoolGaN 600 V 增强型HEMT在功率因数校正器（PFC）里具有超高的能效（2.5 kW PFC能效 > 99.3％）。相同能效下的功率密度可达到160 W / in3（3.6 kW LLC能效 > 98％）。在谐振拓扑中，CoolGaN线性输出电容可将死区时间缩短至八分之一到十分之一。

CoolGaN 拥有业界领先的可靠性。品管过程不仅对元件本身，还针对其在应用环境中的性能进行全面测试。这确保了CoolGaN开关满足甚至超越最高品质标准。

CoolGaN 600 V增强型HEMT提供70 m?和190 m?的SMD封装，确保优异的散热性能和低寄生效应。透过推出全系列SMD封装产品，英飞凌支援高频运行的应用，如企业级超大规模资料中心伺服器、电信整流器、适配器、充电器、SMPS和无线充电设施等。