英飛凌科技今日宣布，其氮化鎵（GaN）解決方案CoolGaN 600 V增強型HEMT和 氮化鎵驅動IC EiceDRIVER，將在2018年德國慕尼黑電子展現身。

英飛凌氮化鎵 (GaN) 解決方案進入量產

英飛凌表示，其產品具備更高功率密度，可實現更加小巧、輕盈的設計，從而降低系統總成本和營運成本，減少資本支出。隨著CoolGaN 600 V增強型HEMT和GaN EiceDRIVER柵極驅動IC的推出，英飛凌是目前市場上唯一一家提供涵蓋矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等材料的全系列功率產品供應商。

CoolGaN 600 V增強型HEMT：

新款 CoolGaN 600 V 增強型 HEMT 採用可靠的常閉概念，已優化實現快速開通和關斷。它們可在開關式電源（SMPS）中實現高能源效率和高功率密度，其優值係數（FOM）在目前市面上所有 600 V 元件中首屈一指。CoolGaN 開關具極低的柵極電荷及反向導通狀態下的優異動態性能，進而大幅提高工作頻率，從而透過縮小被動元件的總體尺寸，提高功率密度。 英飛凌 CoolGaN 600 V 增強型HEMT在功率因數校正器（PFC）裡具有超高的能效（2.5 kW PFC能效 > 99.3％）。相同能效下的功率密度可達到160 W / in3（3.6 kW LLC能效 > 98％）。在諧振拓撲中，CoolGaN線性輸出電容可將死區時間縮短至八分之一到十分之一。

CoolGaN 擁有業界領先的可靠性。品管過程不僅對元件本身，還針對其在應用環境中的性能進行全面測試。這確保了CoolGaN開關滿足甚至超越最高品質標準。

CoolGaN 600 V增強型HEMT提供70 m和190 m的SMD封裝，確保優異的散熱性能和低寄生效應。透過推出全系列SMD封裝產品，英飛凌支援高頻運行的應用，如企業級超大規模資料中心伺服器、電信整流器、適配器、充電器、SMPS和無線充電設施等。