飞思卡尔其4兆位MRAM组件最近荣获In-Stat的Microprocessor Report年度「创新」类奖项。该组件在同年内也获得了Electronic Product的「年度产品大奖」、同时还入围了EDN的创新大奖及EE Times的ACE大奖等奖项的决选。

MR2A16A组件融合了非挥发性内存(non-volatile memory，NVM)及随机存取内存(RAM)双方的优点，为新型的智能型电子组件提供「瞬间启动」及功率损耗防护等功能。MRAM组件适用于多种商业应用，例如网络、安全性、数据储存、游戏及打印机等等。MR2A16A的设计可以提供可靠、经济的单一组件替代方案，以取代原本需要附带电池的SRAM单元。该款组件亦可用在快取缓冲器、组态储存内存，以及其他需要MRAM高速、耐久及非挥发性等特点的应用。

飞思卡尔运输及标准产品事业部资深副总裁暨总经理Paul Grimme表示：「从像In-Stat的Microprocessor Report这样信誉卓著的刊物获得来自业界的持续肯定，更突显了MR2A16A MRAM产品在突破性创新及商业方面的潜力。身为第一家将MRAM技术商业化的厂商，我们坚信飞思卡尔的非挥发性内存产品，绝对会成为近十年来在半导体技术方面最重大的突破之一。」