IR推出全新HEXFET功率MOSFET晶体管系列

锁定低功率电讯与数据通讯市场

全球供电产品领导事业厂商国际整流器公司（International Rectifier，简称IR），宣布推出产品代号为IRF5802与IRF7465的新型150V与200V MOSFET，不仅进一步扩展SOIC封装的HEXFET功率MOSFET晶体管系列，更能满足电信及数据通讯骨干系统中DC-DC转换器最低功率的需求。新产品不仅是低功率优化的选择，能为相关应用系统带来更高成本效益，并且较其他体积更大、成本更高的同类型组件具备更高效能。

这些新型MOSFET可提供低于2A的电流，符合低功率应用系统的需求，设有150V和200V两种电压，可满足现有隔离式转换器线路布局技术的需要。而这个产品系列更是业界第一个采用TSOP-6封装的150V MOSFET组件。

IR台湾分公司总经理朱文义表示：「随着网络及电信基础建设产品需求的急速成长，业界需要更多不同的DC-DC转换器模块，以满足不同系统的功率要求。我们开发出最新的SOIC HEXFET功率MOSFET，正是为分布式功率架构（distributed power architecture, DPA）电路中的骨干功率模块系统（back-plane power module systems）所特别设计。」

朱总经理接着指出：「骨干功率模块可用来提供低功率偏压（low-power biasing），一般多设计于骨干系统中，以节省主板空间。偏压电路（biasing circuit power）的供电部分通常采用功率低于20W的48V输入转换器。从设计角度来看，最大挑战莫过于寻求兼具性能与成本效益的组件，满足低功率应用系统的需求。」

IR的新型MOSFET有助平衡低组件导通电阻，一方面透过低栅电荷减低导通损耗，一方面利用低Miller电荷减低开关损耗，在高开关频率下保持正常操作。TSOP-6 IRF5802 MOSFET可提供超低栅电荷，最适用于输出5W至10W、操作频率达1 MHz的应用模块。SO-8 IRF7465 MOSFET具备更低RDS(ON)和更低的栅电荷，最适用于操作频率达500 kHz的10W至20W模块。

对于需要使用200VN MOSFET的模块，IRF5801（TSOP-6）和IRF7464（SO-8）可提供相同效能，并适用10W到20W的功率范围。相较于现有低功率应用系统内的高功率组件，IR这些优化的低功率MOSFET不但能提供相同的内电路效率，又可在20W以下运作，而且更具成本效益。IR也计划继续扩展MOSFET系列，满足DC-DC转换器的各种应用需要，包括10W与10W以下的供电装置，到功率达500W的half-brick与quarter-brick模块。

此两款新产品目前已全面量产上市。

关于美商国际整流器公司 (International Rectifier; IR)

美商国际整流器公司 (International Rectifier, IR, 美国纽约证交所上市代号IRF) 成立于1947年，总部位于美国洛杉矶，为全球电力半导体主要供货商，其产品能转换电能，应用于电源供应系统、电动马达及发光电阻等。该公司之专利产品如HEXFET电力MOSFETs、IGBTs和HVICs等，让IR成为全球电力转换组件业的领导者；其电源MOSFET专利已授权给超过20家公司，营收一半以上源自美国以外的市场。

IR的先进科技，包括模拟电源IC、先进电路芯片、电源系统与组件，在汽车、日用电器、计算机及接口设备、工业、照明、通讯、军事、航天方面，改善了电子及电器设备的效能及能源效率。IR协助网络硬件达到更高速度与可靠性，延长可携式电子设备的电池使用寿命，改善汽车燃料效率，同时减少家庭和工业发动机的能源消耗。

IR全球共有5,100名员工，在美国、墨西哥、英国和意大利设有制造厂，在日本、新加坡和中国大陆设有子公司，在中国大陆、香港、印度、韩国、新加坡和台湾等六个地区设有办公室。欲进一步了解IR，敬请浏览该公司网站http://www.irf.com。