半导体制造商ROHM决定在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县)的筑後工厂增建新厂房,以因应日渐升高的SiC功率元件生产需求。
![福冈新厂照。](/news/2018/04/19/1433404450S.jpg) |
福冈新厂照。 |
该新厂房为地上3层建筑,总建筑面积约11,000平方米。目前正在进行相关细部设计,预计於2019年动工,并於2020年竣工完成。
ROHM自2010年开始量产SiC功率元件(SiC-SBD、SiC-MOSFET)以来,领先业界进行各项新技术开发,是全球第一家进行全SiC功率模组和沟槽结构SiC-MOSFET量产的半导体公司。在制造方面,ROHM集团也建构了傲人的 垂直整合生产体制,致力於强化晶圆大囗径制程,并积极导入最新设备来提高生产效率。
目前世界正掀起前所未有的节能浪潮,业界对於可有效提升能源效率的SiC功率元件充满期待。为了满足日益增加的市场需求,ROHM决定在Apollo筑後工厂增建新厂房,以提高生产能力。
今後,ROHM集团将持续掌握市场需求,在强化生产能力的同时,严格贯彻多点生产体制、库存管理、设备防灾等措施,致力於稳定供货以满足客户所需。