茂德科技8吋廠、0.17微米製程發生意外事件，1月底栓槽過濾設備發生損壞，第二站點氮氣外露影響酒精附著力，導致1.5萬片晶圓污染報廢，首季損失1,000萬顆64Mb動態隨機存取記憶體(DRAM)當量，數量之大創下國內DRAM廠紀錄。

茂德總經理陳民良昨(10)日證實，茂德原本預估2月初全數製程轉進0.17微米，不料1月20日竹科斷電，該公司維修栓槽發現過濾設備(Filter)損壞，喪失原本0.1微米及0.08微米的過濾功能，延滯十天後於電信測試站台偵測到污染晶圓，累計首季8吋晶圓損失1.5萬片。

陳民良指出，茂德因為首季損失1,000萬顆64Mb DRAM(當量)，使得單季總產出縮為6,100萬顆，預計第二季將補回2,000萬顆，達8,100萬顆水準。據了解茂德原本使用的氟酸(HFO)製劑拉力效果比較小，在準備更換前發生氮氣外洩，是雜質大量沉降於晶圓的主要原因。