以高速非同步靜態隨機存取記憶體的供應商矽成積體電路日前表示，自去年起開始積極發展的超低耗電SRAM系列。其中待命電流為2uA, 最低工作電壓可達1.65V的4Mbit 靜態隨機存取記憶體(SRAM)已進入量產階段。除了可大幅增加可攜式產品的待命時間外，更可節省客戶的設計空間。

矽成積體電路執行副總邱坤壽表示："隨著手機從單純的語音到日本I-mode的成功，具寬頻上網功能的手機已是大勢所趨，所以如何讓產品在輕薄短小的同時再延長電池的使用時間一直是可攜式產品製造商最關切的問題。"目前已成功進入量產階段的矽成4Mbit 超低耗電SRAM（結構為：256Kx16/ 512K x 8）以六個電晶體的記憶晶胞技術設計再輔以台積電的先進CMOS 0.15微米製程製造。除了可大幅降低消耗的功率，讓室溫下的待命電流達到低於2uA以下，更可以1.65V最低工作電壓與超小型的BGA包裝進行供貨。在速度上可達55奈秒，工作溫度範圍為-40度至+85度，適合客戶的各種設計平台。

矽成積體電路執行副總邱坤壽進一步表示"此一4M低耗電靜態隨機存取記憶體系列除了可延長可攜式產品的待命時間外，更可節省客戶的設計空間。同時我們的8M超低耗電靜態隨機存取記憶體也即將於近期推出，矽成新發展的超低耗電靜態隨機存取記憶體產品系列將愈趨完整。"