全球半導體技術聯盟於今年3月對外表示，157 奈米出現物性技術瓶頸，將延後半導體廠進入70奈米米製程的時程。但是近日舉辦的第三屆157奈米微影技術國際座談會，會中有專家指出，157奈米光學微影技術的主要瓶頸已克服，而且現在半導體產業已計畫在65奈米線寬裡，導入157奈米微影技術；相關供應商預計2004年，將推出首台157奈米掃描機。

今年年初時有業者表示，目前業界的90奈米製程，仍以193 奈米微影設備為主，預計2004 年才能真正量產；157奈米設備最外為2005年才能試產，到時相關的所有物性瓶頸，將能獲得解決。然而今年第三季157奈米已有所突破，證明157的後續發展時程需再做調整。

1965年摩爾博士曾以微處理器的電晶體密度，每18個月將增加一倍，此即半導體產業著名的「摩爾定律」，然而要跟上此定律，必須不斷提升製程技術，其中的關鍵技術即為微影。業界對微影技術的看法各有詮釋，有業者認為波長157奈米氟（F2）雷射為未來市場主要光源，日本半導體產業開發目標則鎖定在VUV（Vacuum Ultra-Violet）和EPL（Electron Projection Lithography）。