瑞薩科技與Sarnoff Europe宣佈共同簽署合約，Sarnoff將授權瑞薩科技使用TakeCharge技術。Sarnoff Europe為位於美國紐約州普林斯頓的Sarnoff公司自有所屬的子公司。IC設計者可以藉助TakeCharge技術製作ESD(晶片內建靜電釋放)防護電路系統。這項技術可免除耗費成本及時間的重新設計作業，加速上市的時程。瑞薩將應用於SOI(矽絕緣體)製程，加速研發先進的系統LSI裝置。

在生產製程期間，印刷電路板及LSI裝置之間會產生ESD。裝載LSI裝置之後，印刷電路板上的靜電即可加以釋放，但是ESD卻會使得LSI裝置中產生大量電流，損毀內部元件。防範這類危險的其中一項方法是使用特殊電路，防護LSI裝置的內部元件。在SOI裝置中，電晶體會在絕緣體上形成。這使得此類裝置易受到ESD的損毀，而有效的防範措施顯得更加重要。

Sarnoff Europe的TakeCharge ESD防護技術可以應用於短時間設計最佳的ESD防護電路系統，因此新的LSI裝置得以在短時間之內設計研發出來。此外，這也針對較小的表面區域提供進階的ESD防護，因此可以應用於研發較小的晶片。最重要的是，由於寄生電容較低，因此適用於高速應用。

基於這些優點，瑞薩與Sarnoff Europe合作，針對SOI產品的TakeCharge ESD防護電路系統簽署合約，包括90厘米及65厘米的裝置。在引進TakeCharge之後，瑞薩科技計劃生產最佳的精簡SOI產品，以提供強化的ESD防護，同時減少設計研發所需的時間。