據Digitimes報導，台積電預計2004年7月完成全球首台193奈米浸潤式顯影（Immersion Lithography）機台裝機，將以65奈米製程切入，再向下延伸到45奈米、32奈米製程。台積電資深研發副總蔣尚義表示，該公司浸潤式顯影技術是在曝光源與晶圓加入水作為波長縮短介質，可微縮到132奈米，遠低於157奈米微影機台波長。

該報導指出，台積電在2003年10月訂購全球第一台193奈米浸潤式顯影機台，預計2004年7月可以在12吋晶圓廠裝機。蔣尚義表示，目前台積電在65奈米製程開發上已經開發出0.499平方微米SRAM原型，同時預計近期將發表0.296平方微米的45奈米絕緣層上覆矽技術（Silicon-on-Insulator；SOI）製程。

蔣尚義亦指出，台積電計劃在90奈米製程以手機晶片最早導入產品線，1伏特到3.3伏特泛用型（general purpose）邏輯製程與低功率（low power）製程，預計2004年第二季底進入試產；在65奈米製程進度上，最早導入開發產品線的亦為低功率導向的手機晶片，預計2005年底導入12吋廠。