與力晶半導體策略聯盟的日商三菱，內部規劃將放棄DRAM生產，全數轉至快閃記憶體及嵌入式DRAM，三菱並計劃自2001年起，將DRAM全數外包給力晶代工，目前雙方正密切洽談DRAM產能外包計畫。

三菱這項動作，勘稱日本DRAM廠最大變革者，對於聯盟夥伴力晶而言，也是一大利多，不過三菱放棄生產標準型DRAM，卻不代表放棄DRAM的技術研發，三菱未來仍將致力與力晶合作開發DRAM先進製程。

力晶表示，力晶一廠月產能為3.7萬片8吋晶圓，明年將以製程能力，致力提升至近4萬片晶圓的超高產能，而積極規劃晶圓二廠的力晶，計畫晶圓一廠生產利基型DRAM、快閃記憶體、影像顯示器(CMOS Sensor)等產品，晶圓二廠則生產標準型DRAM的12吋晶圓，晶圓二廠更高階的DRAM技術將由雙方合作開發。