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IBM開發全球最小電晶體 閘距僅6奈米  
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2002年12月10日 星期二

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根據CNET網站報導,IBM在國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting)中,宣佈開發出全球最小、閘距僅6奈米的電晶體,IBM的發明提供了一個重要證據,顯示半導體產業仍能循摩爾定律持續成長。

英特爾(Intel)創始人之一Gordon Moore所提出的摩爾定律(Moore''s Law),一直是半導體產業發展的依循,該定律描述的現象是每隔18~24個月,同面積晶片上可容量的電晶體數量就會增加1倍,而35年來半導體業也確實一直依照如此的規則發展,但若電晶體的閘極有朝一日無法依循摩爾定律縮小距離,也意味半導體產業的發展就將遇到瓶頸。

IBM所開發的最新電晶體,較目前最小電晶體的閘距縮小了10倍,顯示目前的半導體技術至少還能有10年左右的成長機會。但在這種新的小型化電晶體實用化之前,IBM還必須克服包括耗能、散熱及電磁干擾、封裝等種種難題。

IBM表示,此一電晶體將可與已發表的應變晶片(Strained Silicon)配合,提昇晶片效能50%以上。

關鍵字: IBM  其他電子邏輯元件 
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