在科技部創新創業激勵計畫的支持之下，中央大學研發的「大面積氮化鎵磊晶技術」成功技轉給進化光學有限公司（Microluce, Ltd.），雙方合作自主開發的磊晶設備，提出了一套不須「巨量轉移」的解決方案，避免了現今微發光二極體（Micro LED）「巨量轉移」的高成本問題，成功提升高端技術能力，讓研發成果轉化為產業價值。

Micro LED的尺寸為傳統LED的1/100，每一個LED晶片即是一個顯示畫素，且具有優異的顯示功能、低耗能與產品生命週期長等優點，被視為下世代的顯示技術。然而現今的LED藍綠光材料是氮化鎵，紅光材料是砷化鎵，兩種材料的驅動電壓不同，驅動電路將造成困難，且壞點修復問題不易克服。

Micro LED目前主流方法是使用巨量轉移，就是將每一個Micro LED取放到驅動板上的正確位置，此方法的問題在於，目前的技術每小時可轉移25,000個晶片，智慧型手機面板由約1,100萬個Micro LED晶片組成，需19天工作時間，因此無法量產。且「巨量轉移」成本高昂，取放2K畫素的Micro LED面板成本高於新台幣33萬元。

進化光學自主開發的氮化鎵磊晶設備，能在低溫狀態下長出高品質大面積氮化鎵薄膜，不須巨量轉移製程，只需搭配奈米材料技術，即可達到全彩化的顯示效果。進化光學目前與香港的驅動晶片公司合作，準備產出1.8吋大小的Micro LED顯示面板，鎖定的是全球每年上億片的穿戴市場。相關技術已獲得了台灣及美國專利，可望造福更多消費者。

政府近年來積極推動新創產業，科技部特別針對五加二產業創新計畫的訓儲菁英提供相關的產業鏈結計畫，例如「重點產業高階人才培訓與就業計畫」（RAISE），即培育出許多產業需要之高階人力。今年度進化光學與國家實驗研究院共同申請RAISE計畫並獲得補助，透過法人單位的職前訓練，協助將學校之頂尖研發成果順利銜接至產業界，幫助進化光學成功將科研成果商品化，導入市場；國研院台灣儀器科技研究中心又以專業協助量產製程與產線設計，對研發進度有巨大的貢獻。

未來進化光學將持續結合跨領域技術，運用於Micro LED領域，將技術能量全面發展到國內外市場。技術轉化商品的過程漫長，政府的大力支持，將有助於產業發展，增加國際競爭力。