CTIMES - 磊晶

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第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期，貝爾實驗室開始一項研究計畫，目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日，由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管，優點是體積更小、更可靠、且成本低廉，不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業，同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。

	車規碳化矽功率模組—基板和磊晶 (2023.06.27) 本文敘述安森美在碳化矽領域從晶體到系統的全垂直整合供應鏈，並聚焦到其中的核心功率器件碳化矽功率模組，以及對兩個碳化矽關鍵的供應鏈基板和磊晶epi進行分析。
	碳化矽基板及磊晶成長領域環球晶布局掌握關鍵技術 (2021.06.18) 在化合物半導體材料領域，環球晶在碳化矽晶片領域的專利佈局，著重碳化矽晶片的表面加工方法以及磊晶技術。唯有掌握關鍵技術、強化供應鏈及提升半導體晶圓地位，才能夠在國際市場上脫穎而出
	央大技轉進化光學發展Micro LED巨量轉移技術 (2019.09.27) 在科技部創新創業激勵計畫的支持之下，中央大學研發的「大面積氮化鎵磊晶技術」成功技轉給進化光學有限公司（Microluce, Ltd.），雙方合作自主開發的磊晶設備，提出了一套不須「巨量轉移」的解決方案，避免了現今微發光二極體（Micro LED）「巨量轉移」的高成本問題，成功提升高端技術能力，讓研發成果轉化為產業價值