半導體龍頭英特爾（Intel）在65奈米半導體製程技術的開發已有實際成果，據網站Channel Times報導，該公司已宣佈成功採用65奈米製程技術試產SRAM，並可在2005年導入量產；而英特爾在本季推出的Pentium 4晶片上也已採用90奈米製程技術。

該報導指出英特爾的新世代65奈米節點技術，在整合低介電質（Low-K）材料、高速銅導線及應變矽晶（Strained Silicon）等技術；且該公司確定可在2005年以65奈米製程在12吋晶圓上生產SRAM。

自2002年開始，全球各大半導體廠或晶圓代工廠相繼投入以90奈米製程生產晶片的技術開發，多數廠商多已在2003年宣稱技術成熟，可投入量產；而英特爾65奈米SRAM試產成功的宣示，代表其技術仍超前其他競爭者甚遠，多數業者均認為必須等到45奈米節點時，方須用到應變矽晶的技術。