盛美半導體設備（上海）宣布，推出支援化合物半導體製造的綜合設備系列。公司的150-200毫米相容系統將前道積體電路濕法系列產品、後道先進晶圓級封裝濕法系列產品進行拓展，可支援化合物半導體領域的應用，包括砷化鎵 (GaAs)、氮化鎵 (GaN) 和碳化矽 (SiC) 等制程。化合物半導體濕法制程產品線包括塗膠設備、顯影設備、光阻去膠設備、濕法蝕刻設備、清洗設備和金屬電鍍設備，並自動相容平邊或缺口晶圓。

盛美上海董事長 王暉博士表示，隨著不同市場的需求增長，化合物半導體行業正在迅猛發展。通過對這個行業的調研，應利用現有的前道積體電路濕法和後道先進晶圓級封裝濕法系列產品中重要的專業知識和技術，來提供滿足化合物半導體技術要求的高性價比、高性能產品。盛美上海提供了重要的增長機會，因為 GaAs、GaN 和 SiC 器件正成為未來電動汽車、5G 通信系統和人工智慧解決方案日益不可或缺的一部分。

Ultra C 碳化矽清洗設備：盛美上海的Ultra C碳化矽清洗設備採用硫酸雙氧水混合物 (SPM) 進行表面氧化，並採用氫氟酸 (HF) 去除殘留物，進行碳化矽晶圓的清洗。該設備還集成盛美上海的SAPS 和 Megasonix? 技術實現更全面更深層次的清洗。Ultra C 碳化矽清洗設備可提供行業領先的清潔度，達到每片晶圓顆粒?10ea0.3um，金屬含量＜ 1E10atoms/cm3水準。該設備每小時可清洗超過 70 片晶圓，將於 2022 年下半年上市。

Ultra C 濕法刻蝕設備：可為砷化鎵和磷化銦鎵 (InGaP) 制程提供＜2% 的均勻度，＜ 10% 的共面度及＜ 3% 的重複度。Ultra C 濕法刻蝕設備可提供行業領先的化學溫度控制、刻蝕均勻性。該設備將於 2022 年第三季度交付給某重要客戶，並由其進行測試。

Ultra ECP GIII 1309 設備：盛美上海的Ultra ECP GIII 1309 設備集成了預濕和後清洗腔，支援用於銅、鎳和錫銀的銅柱和焊料，以及重分佈層 (RDL) 和凸點下金屬化 (UBM) 制程。設備實現了晶圓內和模內小於3%的均勻度和小於2% 的重複度。該設備已於 2021 年中交付給客戶，並滿足客戶技術要求。

Ultra ECP GIII 1108 設備：Ultra ECP GIII 1108 設備提供金凸塊、薄膜和深通孔制程，集成預濕和後清洗腔。設備採用盛美上海久經考驗的柵板技術進行深孔電鍍，以提高階梯覆蓋率。它可達到晶圓內和模內＜ 3%的均勻度和＜ 2% 的重複度。腔體和制程槽體經過專門設計，可避免金電鍍液的氧化，且制程槽體具有氮氣吹掃功能，可減少氧化。該設備已於去年年底交貨給關鍵客戶。

Ultra C ct 塗膠設備：盛美上海的Ultra C ct 塗膠設備採用二次旋轉塗膠技術，可實現均勻塗膠。設備擁有行業領先的優勢，包括精確塗膠控制、自動清洗功能、冷熱板模組以及每個腔體的獨立程序控制功能。

Ultra C dv 顯影設備：在化合物半導體制程中，盛美上海的Ultra C dv 顯影設備可進行曝光後烘烤、顯影和硬烤的關鍵步驟。設備利用盛美上海的先進技術，可按要求實現+/-0.03 LPM的流量和 +/-0.5 攝氏度的溫度控制。

Ultra C s刷洗設備 ：Ultra C s 刷洗設備以盛美上海先進的濕法清洗技術為基礎，實現優秀的污染物去除效果。該設備通過氮氣霧化二流體清洗或高壓清洗實現高性能，以更有效地清洗小顆粒。此外，設備還可相容盛美上海特有專利的兆聲波清洗技術，以確保良好的顆粒去除效率（PRE），且不會損壞精細的圖形結構。

Ultra C pr 濕法去膠設備：盛美上海的Ultra C pr濕法去膠設備利用槽式浸泡和單片制程，確保高效地進行化合物半導體去膠。該設備最近由一家全球領先的整合元件製造商（IDM）訂購，用於去除光刻膠，這進一步驗證了盛美上海的技術優勢。

Ultra SFP無應力拋光設備：Ultra SFP 為傳統的化學機械拋光在矽通孔 (TSV) 制程和扇出型晶圓級封裝 (FOWLP)應用提供了一種環保替代方案。在 TSV 應用中，盛美上海的無應力拋光 (SFP) 系統可通過運用專有的電拋光技術去除低至 0.2μm 的銅覆蓋層，再使用傳統的 CMP 進一步去除剩餘銅至阻擋層，並通過濕法刻蝕去除阻擋層，從而顯著降低耗材成本。對於 FOWLP，相同的制程可以克服由厚銅層應力引起的晶圓翹曲，並應用於RDL中銅覆蓋層並平坦化 。