美國太空總署 (NASA) 的阿提米絲二號 (Artemis II) 任務在完成為期十天的太空飛行後成功返回地球。此次任務中不僅完成繞月飛行，還創下了載人太空船距離地球最遠的飛行紀錄。四位太空人安全返回地球，再次證明英飛凌科技的抗輻射（rad-hard）半導體解決方案即使在最極端的太空環境下，效能依然穩定可靠。從關鍵的電源供應與控制系統到數據通訊，英飛凌旗下IR HiRel 部門提供的抗輻射元件，成為獵戶座太空船（Orion）電子系統的核心支柱之一。

英飛凌半導體技術在Artemis II太空任務中展現可靠性

阿提米絲二號任務標誌著英飛凌多年的太空領域突破成就。早在1970年代，英飛凌的前身公司便為NASA和ESA（歐洲太空總署）的任務提供首批抗輻射元件。此後，英飛凌IR HiRel便為包括導航衛星、國際太空站（ISS）、以及今日阿提米絲計劃在內的數百項太空任務提供支援。這些抗輻射元件的飛行距離已經承受住超過200億公里的太空飛行挑戰，這一距離遠超過任何其他人造物體。英飛凌作為此領域的技術先驅，將持續投資、開發並生產最卓越的抗輻射半導體，支援全球太空應用設計社群的需求。

太空環境對半導體的要求極高。在地球磁場的保護範圍之外，高能粒子會無阻地衝擊電子元件，並可能造成永久性損壞或摧毀元件，導致任務失敗。英飛凌的抗輻射技術並非透過被動屏障，而是透過在半導體架構設計階段即具備抗輻射能力來應對這一挑戰。所有產品均符合最嚴格的國際太空標準認證，包括MIL-PRF-38535 Class V、MIL-PRF-19500、ESA的ESCC標準以及NASA的EEE-INST-002，確保了其性能的可靠性。

在英飛凌，創新包含了從系統層級的開發，例如：半導體技術、抗輻射驗證及封裝技術相互協調運作。優化的整體系統不僅影響電氣效能，還能改善散熱表現與長期可靠性，同時大幅減少了重量與體積。對於太空任務而言，每一克的重量都影響甚鉅，而英飛凌的抗輻射元件在系統層級提供了關鍵的優勢。

英飛凌也正推動新型半導體材料在太空應用的發展。氮化鎵（GaN）元件可有效降低切換損耗，提升功率密度與切換頻率，從而減少能源損耗與對磁性元件的需求，進一步實現重量的減輕。基於內部製造能力以及隨之而來的製程與品質穩定性，英飛凌獲獎的抗輻射 100-V GaN 電晶體，依據 MIL-PRF-19500 標準通過 JANS認證，將 GaN 從概念轉化為可滿足嚴苛太空任務的可靠技術。英飛凌的 JANS 認證元件是市場上首款且唯一一款內部製造的抗輻射 GaN 電晶體。

英飛凌提供廣泛的抗輻射產品組合，涵蓋矽功率MOSFET、氮化鎵電晶體、閘極驅動器與固態繼電器，此外還包括抗輻射記憶體與射頻(RF)元件。憑藉內部輻射測試能力以及保證的長期產品供應，英飛凌不僅是一家元件供應商，更是為整個太空產業提供戰略技術支援的合作夥伴。