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DRAM市场浮现假性需求 |
涨幅凶猛,待买家安全库存完毕恐再兴跌势
【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1
报导】
2001年11月19日 星期一
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动态随机存取内存(DRAM)价格在上游大厂锁货不出下,在短短一周内大涨九成以上,上周五(十六日)虽已小幅回调,业界仍觉得DRAM此波涨势来得过快且突然,倘若仔细评估其中原因,除了市场供给量的大幅萎缩外,系统厂、通路商、模块厂等回填安全库存的假性需求,则是刺激价格飙涨的主要因素。今年以来国际主要DRAM大厂美光(Micron)、三星(Samsung)、亿恒(Infineon)等为逼迫Hynix退出市场,倾全力在市场上低价倒货,最后却因Hynix获债权银行资金挹注而破局,美光、亿恒等业者也受创颇深,下半年亏损数字均达五亿美元以上。当美光自本月初起以锁货策略有效拉抬价格后,三星、亿恒、与国内DRAM厂等也陆续跟进,使得DRAM现货一时间洛阳纸贵,市场主流一二八Mb DRAM价格便由○.八七美元历史低点,一路回涨至目前的一.六五美元均价,七天之内涨幅高达九成以上。但价格涨势过快且猛,也让业界觉得摸不着头绪,部份业者便指出,以市场供过于求情况评估,就算上游DRAM大厂锁货不出,应还不至于能拉抬DRAM价格大涨一倍。业者指出,今年以来因DRAM价格持续走跌,大部份系统厂、通路商等都将库存降至最低安全水位,而当DRAM价格于第三季跌破一.五美元后,几乎主要系统厂、通路商等都预期未来价格将再续跌。
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關鍵字:
DRAM
动态随机存取内存
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