经济部日前正进行两年一次「新兴重要策略性产业属于制造业及技术服务业部分奖励办法」之检讨，其中DRAM部份，拟将奖励范围修订为「DRAM(设计以制程0.13微米以下技术)」。台湾半导体产业协会在汇集会员厂商意见后，强烈建议将奖励范围维持在0.18微米门坎。

现今DRAM产品设计，配合制程技术之演进，有两种走向，一为大容量高密度标准型DRAM，如DDR/DDR II，制程采用0.13、0.11、0.09微米等，而利基型（特殊应用）DRAM，如LP SDRAM等，并不追求大容量、高密度，其制程仍采用0.18微米以下技术。不论是DDR/DDR II或是LP SDRAM，在设计上都有其深度与难度，均属高科技产品。

不同于DRAM制造业，DRAM IC设计业(Fabless)属专业IC设计公司，并非以制程技术之开发为主，而是以IC电路设计技术为其主要竞争核心；其供应市场系以特定型应用(Specialty DRAM)为主，必须以其设计技术提供各特定客户规格之所需。由于其制程条件并非自我掌控，更需要以设计技术弥补可能取得制程条件差异之影响；虽目前标准型DRAM之制程已微缩至0.11um；惟特定型应用之DRAM制程微缩至一极限后，反而受到封装条件的限制而无法适用。因此，就DRAM IC设计技术而言，维持在0.18um门坎应属合理。