意法半导体和海力士半导体正式为在中国江苏省无锡市合资建立的内存前端制造厂举行开业典礼。中国中央及地方政府的高阶官员皆出席了此盛大的典礼。将负责制造NAND闪存和DRAM内存产品。合作的双方将获得大规模量产所带来的经济效益，并能更优先地进入快速成长的中国市场，以及展现双方在制造技术和产品开发上互补的优势。无锡晶圆制造厂将加速意法半导体在NAND闪存市场的成长，同时还将为嵌入式系统厂商提供能够与闪存堆栈在一起的高功能且具成本竞争力的DRAM芯片。

新工厂还有助于扩大海力士的12吋晶圆产能，加强其在全球成长最快的中国半导体市场上的领先地位。海力士DRAM芯片目前在中国的销售量排名第一，根据最新的iSuppli所提供的数据， 市占率大约为47%。无锡的晶圆厂完工后，除了在美国Eugene，Oregon 的晶圆厂外，海力士又增加了一个全球性的制造据点。

两家公司于2005年4月为此新工厂举行奠基仪式，工厂占地面积550,000平方公尺，无尘室的面积为20,000平方公尺，8吋和12吋生产线分别于2006年7月和10月开始量产。目前制造DRAM的生产线，8吋是采用90nm及110nm的制程，12吋则采用80nm制程。 在明年中，除了现有的DRAM生产线，也将采用先进的制程开始生产NAND闪存。目前8吋晶圆月产能预计可达50,000片，12吋晶圆月产能则为18,000片。产品和内存容量的数量比例将根据市场情况来调配。

这个合资晶圆厂的总投资额为20亿美元，意法半导体与海力士的股本比分别为1/3与 2/3，中国本地金融机构和意法半导体还提供了一 个联贷计划。该合资公司雇用了大约2000名员工，绝大多数是当地的劳工。从无锡到上海大概是两个小时的车程，工厂附近能提供大量且技术熟练的劳动力及具后续扩展空间的完善基础建设。