宜鼎国际今正式发布工业级DDR5 DRAM模组。从日前JEDEC所公布的DDR5标准与DDR4相比，第五代记忆体效能大幅提升，不仅表现在速度和容量增加，在结构设计上也突破过往限制。宜鼎目前已针对伺服器、资料中心、5G应用、物联网等高阶运算需求逐渐释出。而看好伺服器系统的记忆体容量及频宽扩张需求，新一代DDR5将能大幅提升AI与数据中心的HPC工作负载。

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做为工业级储存的全球市场领导者，宜鼎国际所发表的DDR5 DRAM模组在容量、速度、电压和ECC功能方面都达到明显强化。最新的DDR5最高容量上限可增加至128GB；速度也可望提升两倍至最高6400MT/s。此外，DDR5整体功耗自1.2V下降至1.1V，省电效率方面也再度升级。

从结构方面来看，DDR5与DDR4最大不同在于将电源管理移置在DIMM，调整了主机板上多余的电路设计，原先64 bit 单通道架构也会被32 bit 双通道取代，ECC DIMM更可同时针对两个bit error进行除错，大幅提高了记忆体效率并提升系统稳定度，从而以更高的效率获得更快的速度。宜鼎目前可提供高达32GB和4800 MT/s 的 DDR5产品，并以严格测试与先进的 DRAM 技术带动产业创新，目前正积极朝向5G、机器学习、边缘计算、智慧医疗等领域扩大发酵。

近期记忆体的市场热度持续加温，DDR5规范虽然发表未满一年，然而来自终端应用的询问与实测已开始进行中，市场预期最快将可在第四季度开始导入。

宜鼎国际工控DRAM事业处总经理张伟民表示，宜鼎所发表的高性能工业级DDR5产品，激发了许多客户智慧应用开发潜力，在严守工控品质的标准下，宜鼎坚持使用原厂IC，并采用严格测试的抗硫化与敷型涂层等技术，最新的DDR5产品也将以最高规格释出，并为顾客与市场注入新一波智慧动能。