美光科技今日宣布，成为首家开始使用 1z nm 制程技术量产 16Gb DDR4 产品的记忆体公司。

与上一代 1y nm 节点相比，美光的 1z nm 16Gb DDR4 产品显着提高位元密度、大幅增进效能并降低成本。同时，它也促进美光持续改善其运算 DRAM（DDR4）、行动 DRAM（LPDDR4）和图形 DRAM（GDDR6）产品系列的相对效能和功耗。对於包括人工智慧、自动驾驶车辆、5G、行动装置、图形、游戏、网路基础设施和伺服器等应用而言，功率和效能之间的优化平衡是关键的差异化因素。

美光科技技术开发执行??总裁 Scott DeBoer 表示：「现今扩充 DRAM 条件变得更加复杂，开发和量产业界最小尺寸的DRAM 节点展现了美光世界级的工程和制造能力。率先进入市场让美光拥有竞争优势，我们将继续为广泛的终端客户应用提供高价值解决方案。」

美光透过量产 16Gb DDR4 记忆体解决方案，开始将技术移转至 1z nm。使用更小的节点进行生产带来多项优势，包括功耗较上一代 8Gb DDR4产品降低约 40%。美光全面的 1z nm DDR4 产品组合也满足资料中心对更高效能、更高容量和更低功耗，日益增长的需求。

此外，美光今日也宣布公司已开始批量出货基於 UFS 规范多晶片封装 （uMCP4） 的业界最高容量单片 16Gb 低功率双倍资料速率 4X （LPDDR4X） DRAM。美光的 1z nm LPDDR4X 和 uMCP4 满足了行动装置制造商寻求更低功率和更小封装，以设计具有吸引人的规格尺寸和长电池寿命的装置需求。