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英飞凌在台发表氮化??功率元件新品 抢占GaN市场龙头
 

【CTIMES/SmartAuto 籃貫銘 报导】   2018年12月04日 星期二

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英飞凌(Infineon)今日在台北举行氮化??(GaN)方案CoolGaN新品发表会,宣布推出新一代GoolGaN 600 V增强型HEMT方案,以及专为其氮化??晶片所设计的驱动IC EiceDRIVER产品,能为电源产品带来更隹的电源效率与功率密度,同时也能缩小装置的体积,并进一步降低整体的设计成本。

英飞凌(Infineon)在台北举行CoolGaN新品发表会

台湾英飞凌科技??总裁暨总经理詹?祥表示,英飞凌长期位居离散电源元件(Discrete Power MOSFETs)市场的龙头地位,且市占率远远领先排名第二的业者,所凭藉的就是在品质与技术上的坚持。而今日所推出的CoolGaN新品,也将是英飞凌在电源市场上的一大重要策略,将投入与矽(Si)和碳化矽(SiC)产品相同的力量,追求市场的领先地位。

詹启祥并强调,CoolGaN产品系列推出後,英飞凌将是市场上唯一一家能够同时提供Si、SiC和GaN全系列功率产品的半导体业者。

今日发表的新款CoolGaN 600 V增强型HEMT系列,采用与传统矽产品相同的「常闭」设计,不仅让工程师更容易导入,同时也实现了快速开通和关断,可在开关式电源(SMPS)中达成高能源效率和高功率密度。此外,其优值系数(FOM)也高於目前市场上其他的600 V元件。

英飞凌科技奥地利资深产品行销经理??巍博士表示,英飞凌的CoolGaN系列采用独家的常闭(normOFF)概念,同时也在生命周期上达到最隹的适性。而CoolGaN开关具极低的栅极电荷及反向导通状态下的优异动态性能,进而大幅提高工作频率,从而缩小被动元件的总体尺寸,提高功率密度。

??巍进一步指出,英飞凌CoolGaN 600 V增强型HEMT在功率因数校正器(PFC)具有超高的能效(2.5 kW PFC能效 > 99.3%),相同能效下的功率密度可达到160 W / in3(3.6 kW LLC能效 > 98%)。在谐振拓扑中,CoolGaN线性输出电容可将死区时间缩短至八分之一到十分之一。

他也强调,英飞凌非常重视产品的品质,尤其在产品的可靠性上,不仅对元件本身有严格的品管,同时也针对应用环境中的性能进行全面测试,以确保CoolGaN开关满足最高品质标准。

目前CoolGaN 600 V增强型HEMT提供70 m?和190 m?的SMD封装,以满足不同的散热需求和低寄生效应。另也推出全系列SMD封装产品,支援高频运行的应用,如企业级资料中心伺服器、电信整流器、适配器、充电器、SMPS和无线充电设施等。

而针对旗下CoolGaN产品的独特设计,英飞凌也推出了相对应的氮化??EiceDRIVER驱动IC:1EDF5673K、1EDF5673F和1EDS5663H。

英飞凌表示,EiceDRIVER是专为优化CoolGaN性能所设计,能实现强固且高效的运作,同时也能减少工程师的研发负担,加快产品上市时程。

??巍解释,英飞凌的栅极驱动IC可提供负输出电压,以快速关断氮化??开关。在开关应处於关闭状态的整个持续时间内,GaN EiceDRIVER IC可以使栅极电压稳定保持为零。这可保护氮化??开关不受杂讯影响导致误导通,即便是首脉冲。此外,氮化??栅极驱动IC可实现??定的GaN HEMT开关转换速率,几??不受工作??圈或开关速度影响。

而在供货方面,英飞凌表示,目前全新CoolGaN 600 V增强型HEMT现已开始供货,矽基GaN EiceDRIVER IC可供预订。

關鍵字: GaN  SiC  Infineon 
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