宏微科技HN系列1200V IGBT模组采用最新一代英飞凌高速型IGBT晶片，是少数市场上仅有的高速型IGBT模组，经由适当的封装设计，该产品系列模组提供给客户50A~800A不等的多款规格选择。

宏微科技HN系列1200V IGBT模组能有效的增加终端设备的整体效率。

做为新兴的电力电子半导体领导厂家，宏微科技发现市面上仅有极少数可供选择的高速型IGBT大功率模组，绝大多数皆为10年前或什至更早发表之产品，主要原因为频率需要操作在20~200Khz的大功率应用设备并不甚普遍，IGBT模组厂商在此一领域相对较无计划推出新产品方案。有鉴于此，宏微科技决定使用英飞凌HS3高速型IGBT晶片，进一步设计成大功率模组产品。

相较于市面上传统的高速型IGBT模组，宏微科技1200V HN系列IGBT模组有以下几项特点，包括晶片为最新沟槽式场截止型(Trench-Field-Stop) 结构设计，Tj可高达175°C；更低的Vce压降，有效降低30%以上的导通损耗(Conduction Loss)；支持20~200Khz的大功率高频开关应用，同时保有极小的EMI杂讯干扰；更高的功率密度，帮助客户完成更小体积的产品设计以及为市面上总损耗最低的高速型大功率IGBT模组。

耀迅国际科技业务副总兼宏微国际业务办公室负责人冯耀贤表示，HN系列高速型IGBT模组为行业上唯一使用沟槽式场截止型晶片的模组产品，该型晶片过去只封装成IGBT单管(Discrete) 型，很多客户只能采用多个单管并联方式，来达到大功率的电路设计，徒增繁琐组装及减低可靠度的困扰，宏微的高速型IGBT模组有效的帮助客户简化设计，同时增加客户产品的运转效率。

一般常见的大功率高频应用包括高周波感应加热装置、逆变式电焊机、新能源逆变器、高频UPS，及高性能汽车充电桩等，配合这些应用，常用的HN系列1200V IGBT模组规格有50A、100A、150A、200A、300A、400A半桥线路模组，以及300A、400A、800A一单元模组。