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宏微科技高速型IGBT模組顯著提升大功率高頻設備的效率 (2016.10.14)
宏微科技HN系列1200V IGBT模組採用最新一代英飛凌高速型IGBT晶片，是少數市場上僅有的高速型IGBT模組，經由適當的封裝設計，該產品系列模組提供給客戶50A~800A不等的多款規格選擇
宏微科技推出大功率低壓MOSFET模組 (2016.10.14)
在全世界積極推展清潔能源的同時，另一方面如何協助更有效率使用能源也是一大課題，宏微科技已成功開發出多款大功率低壓MOSFET模組，該系列產品讓電力電子工程師在設計低壓大電流應用來得更容易，模組化外殼也顯著地減低系統整機的運轉溫度，解決了大功率MOSFET線路設計的各種麻煩
宏微發表新一代600V全系列快速恢復二極體 (2010.10.12)
宏微科技近日宣佈，推出新一代600V系列快速恢復二極體（FRED），晶片製程上採用磊晶平面設計，單一晶片功率範圍從1A～100A，能滿足多類型開關電源應用。透過自行研發晶片技術的革新


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