英飞凌科技与美商国际整流器公司（International Rectifier，IR）共同宣布，英飞凌将取得国际整流器公司授权使用该公司获得专利的先进功率管理封装技术DirectFET。

DirectFET的设计专门运用在计算机、笔记本电脑、通讯及消费性电子装置的AC-DC及DC-DC功率转换应用上，DirectFET功率封装是一项产业优先的表面黏着式（surface-mount）功率MOSFET封装技术，在一块相当于SO-8电路板或更小面积上，顶端的冷却效率佳。比起标准的塑料离散封装（plastic discrete package），DirectFET的「metal can」架构具备双侧面冷却（dual-sided cooling），能有效地加倍高频率DC-DC降压转换器（buck converter）的电流处理容量。

英飞凌将在OptiMOS 2及OptiMOS 3芯片技术上布署DirectFET功率封装技术，预计从2008年初开始以DirectFET封装试产OptiMOS 2。

IR的企业功率事业部（Enterprise Power business unit）副总裁Tim Phillips指出：「透由布署这项独特的双侧面冷却设计，IR的DirectFET封装技术是您在进阶计算、消费性及通讯应用上，缩小设计电路板面积的同时，降低能量损耗的最佳解决方案。本公司持续努力开发最先进技术，致力于节省能源，而经由授权同意书，这项创新的DirectFET技术更能扩大节省能源的影响力，进一步扩展本公司在功率管理这个最大市场区块的市占率。」

英飞凌科技的功率管理及驱动器事业部（Power Management and Drives business unit）资深副总裁暨总经理Arunjai Mittal指出：「有了这份同意书，英飞凌继续扩充功率半导体的产品组合。采用各种适用于广泛应用的封装选项，并结合了本公司极为成功的OptiMOS芯片，电源供应的设计工程师在已知的应用上，能获致能源效率及成本效益的双重解决方案。将OptiMOS 2及OptiMOS 3装置的优异特性套用在双侧面冷却功能的封装上，将更强化英飞凌在功率转换市场屹立不摇的地位。」