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快捷P信道MOSFET采用CSP封装
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2008年11月06日 星期四

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快捷半导体(Fairchild Semiconductor)推出采用1×1.5×0.4mm WL-CSP封装的单一P信道MOSFET组件FDZ391P,能满足可携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。FDZ391P采用快捷半导体的1.5V额定电压PowerTrench制程设计,结合先进的WL-CSP封装,将RDS(ON) 和所需的PCB空间减至最小。这款P信道MOSFET器件的侧高比标准P信道MOSFET降低40%,可满足下一代手机、MP3播放器和其他可携应用的纤细外形尺寸要求。该器件具有低RDS(ON) (74mOhm typical @ -4.5V VGS),能够降低传导损耗并提供出色的功耗性能 (1.9W)。

FDZ391P丰富了快捷半导体广泛的可携设计解决方案,这些方案是节省空间和延长电池寿命所不可或缺的。凭借快捷半导体在功率管理、信号调节和先进封装领域的丰富经验,这些产品可让设计人员显著减小外形尺寸,并提供出色的热性能和电气性能以满足可携应用的需求。这些解决方案包括µSerDes串化器/解串化器、IntelliMAX先进负载开关、USB开关、DC-DC开关、逻辑电平转换器和许多其他功率管理及信号调节技术。

FDZ391P采用无铅(Pb-free)端子,潮湿敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020标准对无铅回焊的要求。所有快捷半导体产品均满足欧盟有害物质限用指令(RoHS)的要求。

關鍵字: MOSFET  Fairchild  电源组件 
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