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MRAM为我国磁储存产业发展重点
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2003年08月20日 星期三

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中央社报导,工研院光电所副所长黄得瑞于台湾磁性技术协会所主办的研讨会中指出,台湾目前磁性产业产值约为台币100至200亿元,且未来仍有发展空间,未来发展重点则是在磁储存技术领域,尤其是MRAM(磁阻式随机存取内存)技术的研发。

于二十日举行之「台湾磁性技术协会年会暨第十六届磁学与磁性技术研讨会」,共计有来自产、官、学、研等近二百位会员与会;为鼓励磁性产业创新研究而颁发之磁性技术奖章得奖人黄得瑞指出,台湾目前在磁性产业发展较佳的领域包括磁铁材料、马达和变压器等,年产值约新台币100至200亿元,至于这个产业未来发展重心将是磁储存技术,尤其是MRAM技术的研发,可说是全球皆热门的研发议题。

他说,MRAM目前在发展上仍面临到一些制程上的问题,但未来将可取代DRAM(动态随机存取内存)、SRAM(静态随机存取内存)与Flash(闪存),因此已成为国际半导体业关注的焦点,包括IBM、摩托罗拉等大厂为目前技术较为领先的业者,而我国台积电和旺宏等也对相关技术非常关切。

黄得瑞表示,台湾磁性产业年产值不算多但仍有发展空间,发展的障碍之一就是原料课税的问题,磁铁相关成品或半成品课税2.5%或不用缴税,但原材料进口却需课税5%,影响厂商发展意愿;但目前政府已同意将部份磁铁原材料关税降为2.5%或不用课税,可望为我国磁性产业进一步带来正面的发展。

關鍵字: MRAM  黃得瑞  其他記憶元件 
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