英特尔(INTC-US)宣布和美光(MU-US)的闪存合作即将发生变化，双方的合作会一直持续到 2019 年初，这个项目完成後，英特尔和美光将会正式分道扬镳。

英特尔日前宣布，与美光的闪存合作将在2018年继续研究第三代3D NAND的研发与生产，并且将持续到 2019 年年初，在此之後双方将不再合作。

目前，英特尔和美光正在进行第二代 64 层 3D 闪存的增产工作，所以近期内不会出现太多的合作变动。

两家公司已经同意在这一技术节点之後，双方将独立开发3D NAND，以便更好地为各自的业务需求优化技术和产品。至於两者最重要的3D XPoint傲腾闪存，英特尔称，他们仍旧会在犹他州的Lehi工厂联合研发制造。

英特尔表示，独立之後二者将能抽出更多精力优化自身产品并提供更好的服务给客户，分开之後不会对路线图和技术节点造成影响。

英特尔非易失性存储解决方案部门高级??总裁兼总经理Rob Crooke说，英特尔的3D NAND和Optane技术路线图为客户应对当下的众多计算和储存需求提供了强大的解决方案。

Rob Crooke表示，英特尔和美光科技建立了成功的长期合作关系，令双方受益匪浅。现在，NAND 开发合作关系已经发展到了适当阶段，是时候让两家公司致力於各自专注的市场。

美光科技技术开发执行??总裁Scott DeBoer则指出，「美光与英特尔的合作由来已久，我们期待在未来各自进行 NAND 开发的同时继续就其他项目与英特尔合作。」

Scott DeBoer说，「我们 3D NAND 技术的开发路线图非常稳固，计划在我们业界领先的 3D NAND 技术基础上，将极具竞争力的产品推向市场。」

据AnandTech分析，英特尔和美光的市场属性不同，英特尔只愿意将美光提供的闪存给自己的SSD用，而美光则急於叁与全球竞争，想把闪存卖给更多客户，尤其是手机厂商，这或许是「分手」的主要原因。

AnandTech猜测，也可能是NAND堆叠层数破百之後，需要调整String Stacking的堆叠方式，两家公司对此看法不同，因而分手。

另一个可能是，目前3D NAND的生产主流是电荷储存式（Charge trap），三星电子等都采用此一方式，英特尔／美光是唯一采用浮闸（floating gate）架构的业者。也许是两家公司中有一家想改采电荷储存式架构，但是此举等於坦承失败，代表从2D NAND转换成3D NAND後，续用浮闸是错误决定，因而闹翻。

对普通消费者来说，这次「分手」具有很多积极的意义。内存市场今後产品更拓宽，新的技术也应该会更快推出，多头竞争应使内存的价格更趋於合理。

叁考：国际电子商情网

图：TheNerdMag